방향이 x＝y＝z＝1인 공간자리표를 가지는 결정면. →결정면기호

자리표가 x=y=z=1인 공간자리표를 가지는 규소의 결정면. 보통 반도체소자들은 (111)규소재료를 리용한다. 그것은 이 면이 원자밀도가 높고 전자나 구멍이 많기때문이다.

⇒델타공명

⇒몬텔공간

⇒슈와르쯔공간

⇒중성자포획

원자핵이 중성자를 흡수하고 중수소핵을 내보내는 핵반응. 턱값에네르기가 대단히 높은 반응이다. 핵반응에서 나오는 중수소핵(d)이 매우 약하게 결합된 핵이라는 사정과 입사중성자의 에네르기가 적어도 표적핵에서의 핵자당 평균결합에네르기정도이상이여야 에네르기적으로 이 반응이 가능하다는 사정과 관련된다. 그것은 중수소핵이 전기를 띤 립자이므로 그 운동에네르기가 생성핵에서의 핵자당 평균결합에네르기와 생성핵에서의 꿀롱장벽에네르기를 더한 에네르기에 가깝거나 그보다 커야 이 반응이 실현될수 있기때문이다. (n, d)반응은 이 반응에서 나오는 중수소핵의 에네르기스펙트르와 각분포를 측정하여 표적핵의 에네르기준위를 연구하는데 많이 리용된다.

원자핵이 중성자를 흡수하고 중성자를 내보내는 핵반응. 중성자에 의한 핵반응의 결과에 나오는 중성자의 에네르기가 핵에 입사하는 중성자의 에네르기와 같은가 같지 않은가에 따라 튐성산란과 비튐성산란으로 나누며 그것을 각각 (n, n), (n, n′)로 표시한다. 중성자는 전하를 띠지 않으므로 에네르기가 작아도 쉽게 핵에 접근하여 핵반응을 일으킬수 있다. 거의 모든 표적핵들에서 열중성자와 공명중성자들이 일으키는 핵반응의 기본형식은 중성자의 튐성산란이며 중성자의 에네르기가 더 커서 표적핵의 려기준위의 에네르기보다 크게 되면 중성자의 비튐성산란이 일어 나기 시작한다. 중성자의 튐성산란과 비튐성산란에 대한 연구는 핵의 높은 에네르기준위의 구조연구, 핵반응메카니즘연구에서뿐아니라 원자로설계 및 설계에 필요한 중성자자름면적의 상수들을 결정하는데서 중요한 의의를 가진다.

원자핵이 중성자를 흡수하고 양성자를 내보내는 핵반응. 중성자의 질량이 양성자의 질량보다 크므로 보통 이 반응은 발열반응으로 된다.

⇒(n, p)반응